射频易商城_低噪声放大器芯片_低噪声放大器基本设计理念②

2023-05-22 19:38   来源: 互联网

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导读:很多朋友不知道低噪声放大器的基本设计原理,如何选择低噪声放大器。射频易商城RFeasy.cn为你解答Gain Block的基本设计原理。


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LNA的基本设计②

目前广泛使用的是金属半导体场效应管低噪声放大器。 它的核心部件是金属半导体场效应管(MESFET) 。 金属半导体场效应管是用本征砷化镓作为基片的衬底, 用特殊工艺形成源极(S) 、 栅极(G) 和漏极(D) 三个电极; 通过栅极电压来控制漏极电流, 从而实现对小信号的放大功能。微波场效应管的主要参数有: 特征频率、 单向功率增益和振荡频率、 最大输出功率和噪声特性。微波场效应管低噪声放大器设计主要考虑的问题是计算输入、 输出匹配网络和选择工作点。 通常、 二级按最小噪声系数设计, 中间级按高增益设计, 末级则保持良好的线性, 满足系统互调特性的要求。微波场效应管低噪声放大器的设计步骤:

1、 选择适当的电路形式
一般采用共源极电路形式, 并尽可能选用 fT 高的管子。
2、 确定工作点和偏置电路
小信号管做低噪声放大时, 漏极电流很小, 一般为 10mA 左右。 而作高增益放 大时, 漏极电流略大些, 一般在 10~30mA。 偏置电路的选择和低频电路类似, 有 恒流式偏置电路和分压式偏置电路两类。
3、 晶体管噪声参量和 S 参数的获得

大多数情况下晶体管的生产厂家提供相应型号的器件的噪声参量和 S 参数。晶体管的噪声参量和 S 参数也可以通过在实际工作点下, 测量所需频段的噪声参量和 S 参数得到。 


推荐产品一、丽芯微电1 to 30GHz, LXA1014 通用低噪声放大器Die 裸芯片

频率:1 ~30 GHz
增益:18dB
噪声系数:2.5dB
-1dB输出功率:16.0dBm
输入回波损耗:-30dB
输出回波损耗:-30dB
工作电流:70mA @+5V

推荐产品二、丽芯微电1 to 30GHz, LXA1015 通用低噪声放大器Die 裸芯片


频率:1 ~30 GHz
增益:17dB
噪声系数:2.8dB
-1dB输出功率:19.0dBm
输入回波损耗:-30dB
输出回波损耗:-20dB
工作电流:150mA @+8V

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